III-V族外延晶圓是指在單晶襯底上通過外延生長技術(shù)（如分子束外延MBE或金屬有機化學(xué)氣相沉積MOCVD）制備的由III族（如Ga、In、Al）和V族（如As、P、Sb）元素組成的化合物半導(dǎo)體薄膜材料。典型材料體系包括GaAs、InP、GaN、InGaAs、AlGaAs、InGaP、InAsSb等，廣泛應(yīng)用于高速電子器件、光電子器件（如激光器、LED、探測器）及高頻通信芯片等領(lǐng)域。
與傳統(tǒng)的硅基材料相比，III-V族半導(dǎo)體具有直接帶隙、高電子遷移率、高飽和電子速度和可調(diào)帶隙等優(yōu)勢，使其在光發(fā)射/探測效率和高頻性能方面顯著優(yōu)于硅。例如，InP基外延片是1.3/1.55μm通信波段激光器和探測器的核心材料；GaAs基外延片廣泛用于紅光/近紅外LED、高電子遷移率晶體管（HEMT）和太陽能電池；而GaN基外延片則主導(dǎo)藍光LED、激光器及5G射頻功率器件市場。
III-V族外延晶圓的制備對晶體質(zhì)量要求j高，需嚴(yán)格控制層厚、組分均勻性、摻雜濃度及界面陡峭度。常用襯底包括GaAs、InP、GaN、SiC甚至硅（Si），其中異質(zhì)襯底（如在Si上生長GaAs或GaN）雖可降低成本并實現(xiàn)與CMOS工藝兼容，但面臨晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異帶來的缺陷挑戰(zhàn)。為此，常采用緩沖層、應(yīng)變補償超晶格等技術(shù)提升外延層質(zhì)量。
目前，主流外延晶圓直徑為2–6英寸，正逐步向8英寸推進以提升量產(chǎn)經(jīng)濟性。其應(yīng)用涵蓋數(shù)據(jù)中心光模塊、5G基站、激光雷達、紅外成像、衛(wèi)星通信及量子器件等前沿領(lǐng)域。隨著先進封裝與異質(zhì)集成技術(shù)的發(fā)展，III-V族外延晶圓作為高性能光電子與微波器件的“基石”，在后摩爾時代繼續(xù)發(fā)揮不可替代的作用。
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