開關(guān)電源產(chǎn)生的干擾，按噪聲干擾源種類來分，可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來分，可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。

首先需要尋找其干擾源,一般開關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等

    其中一般由基本整流器產(chǎn)生的電流高次諧波干擾和變壓器型功率轉(zhuǎn)換電路產(chǎn)生的尖峰電壓干擾.

基本整流器的整流過程是產(chǎn)生EMI最常見的原因。這是因?yàn)檎也娫赐ㄟ^整流器后變成單向脈動(dòng)電源已不再是單一頻率.

變壓器型功率轉(zhuǎn)換電路用以實(shí)現(xiàn)變壓、變頻以及完成輸出電壓調(diào)整，是開關(guān)穩(wěn)壓電源的核心，主要由開關(guān)管和高頻變壓有較大幅度的窄脈沖，其頻帶較寬且諧波比較豐富。產(chǎn)生這種脈沖干擾的主要原因是：

（1）開關(guān)功率晶體管感性負(fù)載是高頻變壓器或儲(chǔ)能電感在開關(guān)管導(dǎo)通的瞬間，變壓器初級(jí)出現(xiàn)很大的涌流，將造成尖峰

上是尖脈沖，輕者造成干擾，重者有可能擊穿開關(guān)管。

（2）由高頻變壓器產(chǎn)生的干擾當(dāng)原來導(dǎo)通的開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，變壓器的漏感所產(chǎn)生的反電勢(shì)E=－Ldi/dt

其值與集電極的電流變化率（di/dt）成正比，與漏感量成正比，疊加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰，形成傳導(dǎo)性電

初級(jí)，還會(huì)傳導(dǎo)向配電系統(tǒng)，影響其它用電設(shè)備的安全和經(jīng)濟(jì)運(yùn)行。

（3）由輸出整流二極管產(chǎn)生的干擾在輸出整流二極管截止時(shí)，有一個(gè)反向電流，它恢復(fù)到零點(diǎn)的時(shí)間與結(jié)電容等因素有

速恢復(fù)到零點(diǎn)的二級(jí)管稱為硬恢復(fù)特性二極管，這種二極管在變壓器漏感和其它分布參數(shù)的影響下，將產(chǎn)生較強(qiáng)的高頻

對(duì)上述開關(guān)電源產(chǎn)生的EMI所采取的抑制措施，主要有正確選擇半導(dǎo)體器件、變壓器鐵芯材料和在開關(guān)電源的電路中采取濾波方法

現(xiàn)在在這只要介紹一些我們常用的濾波抑制措施

1、電源進(jìn)線端和電源輸出線端分別加入濾波電路。

2、在二極管兩端并聯(lián)電容C或RC電路 (在橋式整流中,二極管都并聯(lián)一個(gè)小電容)

3、  在MOSFET管中增加緩沖電路

總的來說在遇到EMI問題時(shí),我們需要對(duì)具體電路和測(cè)試數(shù)據(jù)作出具體分析，找出干擾源，采取相應(yīng)的抑制措.

本公司還供應(yīng)上述產(chǎn)品的同類產(chǎn)品：移動(dòng)電源,充電器,LED驅(qū)動(dòng)電源