技術指標：ICP 離子源：0-3000W； RF 射頻源：0-600W；樣品尺寸：四英寸向下兼容；基底刻蝕溫度：0-200℃可調；可刻蝕材料包括：GaN，GaAs，InP，藍寶石等

儀器用途：通入反應氣體使用電感耦合等離子體輝光放電使其分解，產(chǎn)生的具有強化學活性的等離子體在電場加速作用下移動到樣品表面，對樣品表面既驚險化學反應生成揮發(fā)氣體，又有一定的物理刻蝕作用。因為等離子體源與射頻加速源分離，所以等離子體密度可以更高，加速能力也可以加強，以得到更高的刻蝕速率，更好的各向異性刻蝕。該系統(tǒng)使用了CL基與Br基的刻蝕氣體，因此適合于對III-V族化合物材料進行刻蝕。

收費標準：700/小時

機組負責人：張嬪  0512-62872625  pzhang2008@sinano.ac.cn